CVD，MOCVD專用氫氣發生器由超純水機制取二級水，并儲存至水箱備用。氫氣發生器缺水時，自動供給至氫氣發生器。多臺氫氣發生器可串聯使用，通過串聯控制線由一臺發生器控制其他發生器，實現產氣均勻分配。(以兩臺設備為例控制圖如下)

 

　　CVD，MOCVD專用氫氣發生器產品特點：
 

　　1.配備純水系統，完成自來水進水完成大流量的氫氣制備。
 

　　2.儀器的全部工作過程均由程序控制，自動恒壓、恒流，通過串聯控制線，可實現多組并聯使用。
 

　　3.安全可靠：配有安全裝置，電解超純水制氫，無腐蝕、無污染，配有壓力控制，缺水自動監控，漏氣自動檢測。
 

　　4.操作方便使用時只需打開電源開關即可產氫，使用后無需泄壓，直接關閉電源即可。可連續使用，也可間斷使用，產氫量穩定不衰減。
 

　　5.使用固態電解質(PEM)法產生氫氣，以超純凈水原料，以固體聚合物為電解質，貴金屬做電極有效的除濕裝置，降低了原始濕度，純度穩定。

 

　　CVD，MOCVD專用氫氣發生器技術參數：
 

　　1.氫氣純度： 99.9999-99.99999%
 

　　2.氫氣流量：1L-17L/min
 

　　3.輸出壓力：0-80psi(約0.5MPa)
 

　　4.壓力穩定性：< 0.001MPa
 

　　5.供電電源：220V±10% 50HZ
 

　　6.消耗功率：8kw(HYDROGEN-17L)
 

　　7.純水需求：>2MΩ&1L/h
 

　　8.氫氣容積：<20L(HYDROGEN-17L)
 

　　9.環境溫度：1-40℃
 

　　10.相對濕度：<85%
 

　　11.海拔高度：<2000米
 

　　12.外形尺寸：80x90x100(WxDxH cm)(HYDROGEN-17L)
 

　　13.凈重：約200kg(HYDROGEN-17L)

 

 

　　MOCVD是一種新型的氣相外延生長技術，它是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的，是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
 

　　氫氣發生器在MOCVD中的廣泛應用：
 

　　在MOCVD中，氫氣可以擔當載氣，將III(II)金屬有機物和V(VI)族氫化物以及摻雜源攜帶運輸到反應室內，為化學沉積反應和薄膜生長提供基礎，MOCVD要求氫氣純度≥99.999%(≥5N)，進口壓力為4-7bar，而氫氣發生器所產氫氣可以符合這一領域的用氣需求。同時，氫氣純度穩定不變，減少了氫氣純度波動對設備的影響。
 

　　除此之外，設備操作便捷，保障氫氣供應連續不間斷，用戶無需擔心氫氣用完，也無需和高壓氣體鋼瓶接觸，發生器自動運行，無需額外人工操作；發生器自動偵測自身工作狀態和錯誤，一旦偵測異常，發生器報警。