產(chǎn)品名稱：CVD，MOCVD專用氫氣發(fā)生器
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更新時間：2024-04-07
產(chǎn)品簡介：CVD（Chemical Vapor Deposition）和MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）是兩種常用的化學氣相沉積技術，用于制備薄膜、涂層和納米材料等。
CVD（Chemical Vapor Deposition）和MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）是兩種常用的化學氣相沉積技術，用于制備薄膜、涂層和納米材料等。
CVD是一種通過在反應室內(nèi)將反應物質(zhì)以氣體形式傳輸并在襯底表面發(fā)生化學反應，從而在襯底上形成所需材料的方法。該過程涉及到化學反應、氣體輸運和表面擴散等多個步驟。在CVD過程中，通過控制反應氣體的組成、流速、溫度和壓力等參數(shù)，可以實現(xiàn)對所生長材料的成分、結構和性能的精確控制。
而MOCVD是一種特殊的CVD技術，主要用于生長復雜化合物薄膜，如半導體材料、光電材料等。MOCVD利用金屬有機前驅(qū)物（通常是金屬有機化合物）和載氣（如氫氣、氮氣）在高溫條件下反應，使金屬有機前驅(qū)物分解并釋放金屬原子，然后這些金屬原子與載氣中的其他氣體反應，最終在襯底表面形成所需薄膜。
CVD，MOCVD專用氫氣發(fā)生器由超純水機制取二級水，并儲存至水箱備用。氫氣發(fā)生器缺水時，自動供給至氫氣發(fā)生器。多臺氫氣發(fā)生器可串聯(lián)使用，通過串聯(lián)控制線由一臺發(fā)生器控制其他發(fā)生器，實現(xiàn)產(chǎn)氣均勻分配。（以兩臺設備為例控制圖如下）
CVD，MOCVD專用氫氣發(fā)生器主要特點：
1、儀器的全部工作過程均由程序控制，自動恒壓、恒流，通過串聯(lián)控制線，可實現(xiàn)多組并聯(lián)使用。
2、使用固態(tài)電解質(zhì)（PEM）法產(chǎn)生氫氣，以超純凈水原料，以固體聚合物為電解質(zhì)，貴金屬做電極有效的除濕裝置，降低了原始濕度，純度穩(wěn)定。
3、操作方便使用時只需打開電源開關即可產(chǎn)氫，使用后無需泄壓，直接關閉電源即可?？蛇B續(xù)使用，也可間斷使用，產(chǎn)氫量穩(wěn)定不衰減。
4、安全可靠：配有安全裝置，電解超純水制氫，無腐蝕、無污染，配有壓力控制，缺水自動監(jiān)控，漏氣自動檢測。
5、配備純水系統(tǒng)，完成自來水進水完成大流量的氫氣制備。
CVD，MOCVD專用氫氣發(fā)生器主要參數(shù)：
| 參數(shù)編號 | 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|---|---|---|
| 1 | 氫氣純度 | 99.9999-99.99999% |
| 2 | 氫氣流量 | 1L-17L/min |
| 3 | 輸出壓力 | 0-80psi（約0.5MPa） |
| 4 | 壓力穩(wěn)定性 | 0.001MPa |
| 5 | 供電電源 | 220V±10% 50HZ |
| 6 | 消耗功率 | 8kw(HYDROGEN-17L) |
| 7 | 純水需求 | >2MΩ&1L/h |
| 8 | 氫氣容積 | <20L(HYDROGEN-17L) |
| 9 | 環(huán)境溫度 | 1-40℃ |
| 10 | 相對濕度 | <85% |
| 11 | 海拔高度 | <2000米 |
| 12 | 外形尺寸 | 80x90x100（WxDxH cm）(HYDROGEN-17L) |
| 13 | 凈 重 | 約200kg(HYDROGEN-17L) |
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